P2000DL45X168HPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V
Dauer-Kollektorstrom: 2kA
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 551940.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P2000DL45X168HPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V, Dauer-Kollektorstrom: 2kA, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції P2000DL45X168HPSA1 за ціною від 581041.58 грн до 755257.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
P2000DL45X168HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
P2000DL45X168HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
P2000DL45X168HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: PRESS PACK IGBT Packaging: Tray Package / Case: TO-200AF Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: BG-P16826K-1 IGBT Type: Trench Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| P2000DL45X168HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray |
товар відсутній |
||||||
 |
P2000DL45X168HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules |
товар відсутній |