P40B10SN-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 56nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 56nC
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.81 грн |
9+ | 40.69 грн |
25+ | 32.52 грн |
68+ | 30.45 грн |
500+ | 30.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P40B10SN-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Technology: EETMOS3, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, On-state resistance: 16.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 62.5W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Gate charge: 56nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P40B10SN-5071 за ціною від 36.12 грн до 81.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P40B10SN-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 16.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 56nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|