P60B6EL-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 50.07 грн |
25+ | 41.86 грн |
26+ | 31.83 грн |
70+ | 29.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P60B6EL-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 62.5W, Case: FB (TO252AA), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 55nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P60B6EL-5071 за ціною від 35.7 грн до 74.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P60B6EL-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2888 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
P60B6EL-5071 | Виробник : Shindengen Electric Manufacturing Co. | P60B6EL-5071 |
на замовлення 2908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|