PD57060-E STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3395.7 грн |
| 5+ | 3327.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57060-E STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції PD57060-E за ціною від 2678.29 грн до 3790.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Frequency: 945MHz Drain-source voltage: 65V Drain current: 7A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.3dB Output power: 60W Power dissipation: 79W Efficiency: 54% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
.jpg "PD57060-E") |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 7A Frequency: 945MHz Power - Output: 60W Gain: 14.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Frequency: 945MHz Drain-source voltage: 65V Drain current: 7A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.3dB Output power: 60W Power dissipation: 79W Efficiency: 54% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF |
товар відсутній |