Продукція > PD8 > PD85035S-E

PD85035S-E


en.CD00162008.pdf Виробник:

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD85035S-E

Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 8A, Frequency: 870MHz, Power - Output: 15W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead), Part Status: Active, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 13.6 V, Current - Test: 350 mA.

Інші пропозиції PD85035S-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PD85035S-E PD85035S-E Виробник : STMicroelectronics 505cd00162008.pdf Trans RF FET N-CH 40V 8A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
товар відсутній
PD85035S-E Виробник : STMicroelectronics 505cd00162008.pdf Trans RF FET N-CH 40V 8A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
товар відсутній
PD85035S-E PD85035S-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00162008.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 8A
Frequency: 870MHz
Power - Output: 15W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 350 mA
товар відсутній
PD85035S-E PD85035S-E Виробник : STMicroelectronics pd85035_e-1849726.pdf RF MOSFET Transistors POWER R.F. N-Ch Trans
товар відсутній