Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJC7409_R1_00001
PJC7409_R1_00001

PJC7409_R1_00001 Panjit International Inc.

PJC7409.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJC7409_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJC7409_R1_00001 за ціною від 4.98 грн до 33.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJC7409_R1_00001 PJC7409_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJC7409.pdf Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
14+ 20.69 грн
100+ 10.44 грн
500+ 8.68 грн
1000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7409_R1_00001 PJC7409_R1_00001 Виробник : Panjit PJC7409-1869001.pdf MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
13+ 24.52 грн
100+ 13.29 грн
1000+ 7.17 грн
3000+ 6.04 грн
9000+ 5.38 грн
24000+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7409-R1-00001 PJC7409-R1-00001 Виробник : Panjit PJC7409-1869001.pdf MOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP
товар відсутній