Продукція > PANJIT > PJD35N06A_L2_00001
PJD35N06A_L2_00001

PJD35N06A_L2_00001 Panjit

PJx35N06A-1867570.pdf Виробник: Panjit
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.94 грн
10+ 37.05 грн
100+ 24.11 грн
500+ 18.93 грн
1000+ 15.08 грн
3000+ 12.75 грн
6000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD35N06A_L2_00001 Panjit

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PJD35N06A_L2_00001 за ціною від 15.86 грн до 45.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJD35N06A_L2_00001 PJD35N06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJx35N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.27 грн
10+ 37.3 грн
100+ 27.83 грн
500+ 20.52 грн
1000+ 15.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD35N06A_L2_00001 PJD35N06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJx35N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
товар відсутній