на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.8 грн |
| 10+ | 96.25 грн |
| 100+ | 66.43 грн |
| 250+ | 61.18 грн |
| 500+ | 56.06 грн |
| 1000+ | 48.03 грн |
| 3000+ | 45.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJD50N04V-AU_L2_002A1 Panjit
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PJD50N04V-AU_L2_002A1 за ціною від 46.63 грн до 108.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PJD50N04V-AU_L2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PJD50N04V-AU_L2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|