PJD9N10A_L2_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.92 грн |
| 6000+ | 10.9 грн |
| 9000+ | 10.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJD9N10A_L2_00001 Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PJD9N10A_L2_00001 за ціною від 10.16 грн до 38.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJD9N10A_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 100V N-CHANNEL MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V |
на замовлення 11566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJD9N10A_L2_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 100V N-Channel MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|