Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD9P06A-AU_L2_000A1
PJD9P06A-AU_L2_000A1

PJD9P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

PJD9P06A-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.24 грн
10+ 34.04 грн
100+ 26.12 грн
500+ 19.38 грн
1000+ 15.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD9P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PJD9P06A-AU_L2_000A1 за ціною від 14.55 грн до 45.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJD9P06A-AU_L2_000A1 PJD9P06A-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit PJD9P06A-AU-1867808.pdf MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.18 грн
10+ 39.49 грн
100+ 26.37 грн
500+ 20.86 грн
1000+ 16.67 грн
3000+ 15.08 грн
6000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD9P06A-AU_L2_000A1 PJD9P06A-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD9P06A-AU.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товар відсутній