PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc.
Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції PJL9850_R2_00001 за ціною від 10.38 грн до 60.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJL9850_R2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 3102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJL9850_R2_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJL9850_R2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.7W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJL9850_R2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.7W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2292 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|