на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.13 грн |
| 10+ | 301.74 грн |
| 30+ | 251.75 грн |
| 120+ | 211.9 грн |
| 270+ | 201.93 грн |
| 510+ | 188.65 грн |
| 1020+ | 161.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMH120N60EC_T0_00601 Panjit
Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMH120N60EC_T0_00601 за ціною від 158.23 грн до 337 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PJMH120N60EC_T0_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRIPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PJMH120N60EC_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 235W Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PJMH120N60EC_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 235W Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |