на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.32 грн |
| 10+ | 181.81 грн |
| 25+ | 148.79 грн |
| 100+ | 128.2 грн |
| 250+ | 120.23 грн |
| 500+ | 113.59 грн |
| 1000+ | 103.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMP390N65EC_T0_00001 Panjit
Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMP390N65EC_T0_00001 за ціною від 111.35 грн до 233.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMP390N65EC_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PJMP390N65EC_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL Case: TO220ABL Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A On-state resistance: 390mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 87.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 22A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PJMP390N65EC_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL Case: TO220ABL Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A On-state resistance: 390mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 87.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 22A |
товар відсутній |