Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJP45N06A_T0_00001
PJP45N06A_T0_00001

PJP45N06A_T0_00001 Panjit International Inc.

PJx45N06A.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.2 грн
10+ 48.64 грн
100+ 33.66 грн
500+ 26.39 грн
1000+ 22.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJP45N06A_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJP45N06A_T0_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJP45N06A_T0_00001 PJP45N06A_T0_00001 Виробник : Panjit PJx45N06A-1867500.pdf MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній