PJQ4548P-AU_R2_002A1

PJQ4548P-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.


PJQ4548P-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.42 грн
10+ 39.86 грн
100+ 27.59 грн
500+ 21.63 грн
1000+ 18.41 грн
2000+ 16.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4548P-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ4548P-AU_R2_002A1 за ціною від 15.28 грн до 51.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJQ4548P-AU_R2_002A1 PJQ4548P-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit PJQ4548P_AU-3162027.pdf MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 44.99 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19 грн
2500+ 18 грн
5000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
PJQ4548P-AU_R2_002A1 PJQ4548P-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4548P-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJQ4548P-AU_R2_002A1 PJQ4548P-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4548P-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PJQ4548P-AU_R2_002A1 PJQ4548P-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4548P-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
товар відсутній