PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 10.13 грн |
| 50+ | 7.47 грн |
| 100+ | 6.57 грн |
| 135+ | 6.09 грн |
| 360+ | 5.81 грн |
| 3000+ | 5.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20/-20V, Drain current: 4.1/-3.1A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 95/190mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.6/5.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції PJS6601_S1_00001 за ціною від 6.73 грн до 29.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJS6601_S1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.1/-3.1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95/190mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6/5.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJS6601_S1_00001 | Виробник : Panjit |
 MOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 5191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJS6601-S1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET |
товар відсутній |