PJS6816_S1_00001

PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc.


PJS6816.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A SOT23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6.

Інші пропозиції PJS6816_S1_00001 за ціною від 9.23 грн до 26.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJS6816.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 5204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.59 грн
13+ 22.35 грн
100+ 15.51 грн
500+ 11.36 грн
1000+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJS6816.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 20.8A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 20.8A
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Виробник : Panjit PJS6816-1871373.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJS6816-S1-00001 Виробник : Panjit MOSFET
товар відсутній
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJS6816.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 20.8A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 20.8A
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній