Продукція > PANJIT > PJW4P06A_R2_00001
PJW4P06A_R2_00001

PJW4P06A_R2_00001 Panjit

PJW4P06A-2949501.pdf Виробник: Panjit
MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 61580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.3 грн
13+ 25.28 грн
100+ 16.41 грн
500+ 12.89 грн
1000+ 10.3 грн
2500+ 8.7 грн
10000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJW4P06A_R2_00001 Panjit

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PJW4P06A_R2_00001 за ціною від 9.54 грн до 28.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJW4P06A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW4P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW4P06A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW4P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.74 грн
12+ 23.32 грн
100+ 16.2 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 9.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJW4P06A_R2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
товар відсутній