на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBTA56,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMBTA56,215 за ціною від 1.24 грн до 16.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMBTA56,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMBTA56,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMBTA56,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBTA56,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 835 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBTA56,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 158849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBTA56,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMBTA56,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PMBTA56/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 42681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMBTA56,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 639000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PMBTA56,215 |
|
на замовлення 1600 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| PMBTA56,215 |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |