PMCM6501VNEZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556mW
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM6501VNEZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Інші пропозиції PMCM6501VNEZ за ціною від 13.11 грн до 38.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMCM6501VNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 556mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
PMCM6501VNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| PMCM6501VNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2036138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PMCM6501VNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 4.6A; Idm: 29A; WLCSP6 Drain-source voltage: 12V Drain current: 4.6A Case: WLCSP6 Polarisation: unipolar On-state resistance: 25mΩ Pulsed drain current: 29A Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate charge: 24nC Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 4500 шт |
товар відсутній |
||||||||
 |
PMCM6501VNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.6A 6-Pin WLCSP T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
PMCM6501VNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V |
товар відсутній |
|||||||
 |
PMCM6501VNEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMCM6501VNE/NAX000/NONE |
товар відсутній |
|||||||
| PMCM6501VNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 4.6A; Idm: 29A; WLCSP6 Drain-source voltage: 12V Drain current: 4.6A Case: WLCSP6 Polarisation: unipolar On-state resistance: 25mΩ Pulsed drain current: 29A Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate charge: 24nC Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |