на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.07 грн |
| 9000+ | 8.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB43XPEAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.039 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 12.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMPB43XPEAX за ціною від 8.01 грн до 28.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB43XPEAX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB43XPEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB43XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB43XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.039 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB43XPEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMPB43XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
PMPB43XPEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
PMPB43XPEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
PMPB43XPEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |