PMV100EPAR

PMV100EPAR NEXPERIA


pmv100epa.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV100EPAR NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV100EPAR за ціною від 6.97 грн до 35.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV100EPAR PMV100EPAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV100EPA.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.95 грн
6000+ 8.26 грн
9000+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV100EPAR PMV100EPAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV100EPA.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.05 грн
12+ 24.84 грн
100+ 14.88 грн
500+ 12.93 грн
1000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMV100EPAR PMV100EPAR Виробник : Nexperia PMV100EPA-1839898.pdf MOSFET PMV100EPA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 85974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.34 грн
12+ 27.19 грн
100+ 13.15 грн
1000+ 8.97 грн
3000+ 7.77 грн
9000+ 7.04 грн
24000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMV100EPAR PMV100EPAR Виробник : NEXPERIA PMV100EPA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 276mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -9A
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMV100EPAR PMV100EPAR Виробник : NEXPERIA PMV100EPA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 276mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -9A
Drain-source voltage: -60V
товар відсутній