на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZB320UPEYL NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMZB320UPEYL за ціною від 3.79 грн до 34.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZB320UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZB320UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
на замовлення 64582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZB320UPEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMZB320UPE/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 39246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMZB320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Mounting: SMD Drain current: -0.6A On-state resistance: 810mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006B-3; SOT883B Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMZB320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Mounting: SMD Drain current: -0.6A On-state resistance: 810mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006B-3; SOT883B Drain-source voltage: -30V |
товар відсутній |