PT5529B/L2/H2-F EVERLIGHT
Виробник: EVERLIGHT
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Collector-emitter voltage: 30V
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
Dark current: 0.1µA
Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm
LED lens: black
Front: flat
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Collector-emitter voltage: 30V
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
Dark current: 0.1µA
Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm
LED lens: black
Front: flat
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 11.92 грн |
40+ | 8.99 грн |
100+ | 6.91 грн |
160+ | 4.99 грн |
430+ | 4.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PT5529B/L2/H2-F EVERLIGHT
Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial - 3 Leads, Wavelength: 940nm, Mounting Type: Through Hole, Orientation: Side View, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Current - Dark (Id) (Max): 100 nA, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V.
Інші пропозиції PT5529B/L2/H2-F за ціною від 5.65 грн до 35.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PT5529B/L2/H2-F | Виробник : EVERLIGHT |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Collector-emitter voltage: 30V Wavelength of peak sensitivity: 940nm Dark current: 0.1µA Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm LED lens: black Front: flat кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 680 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PT5529B/L2/H2-F | Виробник : Everlight Electronics Co Ltd |
Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD Packaging: Bulk Package / Case: Radial - 3 Leads Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V |
на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PT5529B/L2/H2-F | Виробник : Everlight Electronics CO., LTD | Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
PT5529B/L2/H2-F | Виробник : Everlight Electronics | Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
PT5529B/L2/H2-F | Виробник : Everlight | Phototransistors IR Phototransistor |
товар відсутній |