PXN011-100QSJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXN011-100QSJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PXN011-100QSJ за ціною від 14.31 грн до 39.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PXN011-100QSJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PXN011-100QSJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PXN011-100QSJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A Power Dissipation (Max): 66W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|