Продукція > ROHM > QH8KA3TCR
QH8KA3TCR

QH8KA3TCR ROHM

datasheet?p=QH8KA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.47 грн
500+ 23.87 грн
1000+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QH8KA3TCR ROHM

Description: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QH8KA3TCR за ціною від 17.37 грн до 77.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QH8KA3TCR QH8KA3TCR Виробник : ROHM datasheet?p=QH8KA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.97 грн
21+ 36.96 грн
100+ 28.47 грн
500+ 23.87 грн
1000+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
QH8KA3TCR QH8KA3TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8KA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
10+ 53.35 грн
100+ 41.48 грн
500+ 33 грн
1000+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8KA3TCR QH8KA3TCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8KA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET MOSFET
на замовлення 11488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.5 грн
10+ 58.29 грн
100+ 42.25 грн
500+ 38.19 грн
1000+ 35.47 грн
3000+ 30.16 грн
24000+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8KA3TCR QH8KA3TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8KA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній