Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QH8KC6TCR
QH8KC6TCR

QH8KC6TCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.32 грн
10+ 61.31 грн
100+ 47.68 грн
500+ 37.93 грн
1000+ 30.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QH8KC6TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

Інші пропозиції QH8KC6TCR за ціною від 28.1 грн до 83.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QH8KC6TCR QH8KC6TCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 40V N&P-CHANNEL
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.7 грн
10+ 67.22 грн
100+ 45.44 грн
500+ 38.53 грн
1000+ 31.42 грн
3000+ 30.42 грн
6000+ 28.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8KC6TCR QH8KC6TCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній