QS6K1TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS6K1TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95).
Інші пропозиції QS6K1TR за ціною від 14.35 грн до 62.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
на замовлення 5469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS6K1TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
на замовлення 34337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS6K1TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QS6K1TR | Виробник : ROHM |
05+ |
на замовлення 27010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| QS6K1 TR | Виробник : ROHM | SOT23-4 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| QS6K1 TR | Виробник : ROHM | SOT26 |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| QS6K1TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
QS6K1TR Multi channel transistors |
товар відсутній |