QS6K21FRATR

QS6K21FRATR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS6K21FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS6K21FRATR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.3 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції QS6K21FRATR за ціною від 14.68 грн до 52.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QS6K21FRATR QS6K21FRATR Виробник : ROHM datasheet?p=QS6K21FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.3 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.57 грн
500+ 21.45 грн
1000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
QS6K21FRATR QS6K21FRATR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K21FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.11 грн
10+ 36.33 грн
100+ 25.17 грн
500+ 19.74 грн
1000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
QS6K21FRATR QS6K21FRATR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K21FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 0.415Rds(on) 1.5Qg
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.58 грн
10+ 40.79 грн
100+ 24.58 грн
500+ 20.59 грн
1000+ 17.47 грн
3000+ 15.48 грн
6000+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
QS6K21FRATR QS6K21FRATR Виробник : ROHM datasheet?p=QS6K21FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.3 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.38 грн
17+ 43.89 грн
100+ 27.57 грн
500+ 21.45 грн
1000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 15
QS6K21FRATR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS6K21FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key QS6K21FRATR Multi channel transistors
товар відсутній