Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8M51HZGTR
QS8M51HZGTR

QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor

qs8m51hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+51.46 грн
250+ 49.39 грн
500+ 47.61 грн
1000+ 44.41 грн
2500+ 39.91 грн
Мінімальне замовлення: 227
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції QS8M51HZGTR за ціною від 21.79 грн до 85.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 100V NCH + PCH SMALL SIGNAL MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.64 грн
10+ 46.91 грн
100+ 36.45 грн
500+ 29 грн
1000+ 23.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFET MOSFET 100V DUAL NCH+PCH
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.17 грн
10+ 52.02 грн
100+ 35.21 грн
500+ 29.83 грн
1000+ 26.5 грн
3000+ 22.52 грн
6000+ 21.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
181+64.42 грн
213+ 54.81 грн
248+ 46.96 грн
262+ 42.95 грн
500+ 37.17 грн
1000+ 33.52 грн
Мінімальне замовлення: 181
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : ROHM qs8m51hzgtr-e.pdf Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+85.69 грн
12+ 64.75 грн
100+ 47.32 грн
500+ 38.4 грн
1000+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : ROHM qs8m51hzgtr-e.pdf Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+85.69 грн
12+ 64.75 грн
100+ 47.32 грн
500+ 38.4 грн
1000+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 100V NCH + PCH SMALL SIGNAL MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній