R1LV5256ESA-5SI#B1

R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics


REN_r10ds0269ej0200_memory_a_DST_20191029-3076012.pdf Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 256KB ADV. 3V TSOP28 55NS -40TO85C
на замовлення 234 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.12 грн
10+ 132.15 грн
100+ 102.3 грн
468+ 100.3 грн
1170+ 95.65 грн
2574+ 94.32 грн
5148+ 89.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics

Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I, Packaging: Tube, Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-TSOP I, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції R1LV5256ESA-5SI#B1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R1LV5256ESA-5SI#B1 R1LV5256ESA-5SI#B1 Виробник : Renesas Electronics Corporation r1lv5256e-series-datasheet Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній