Продукція > R52 > R5207ANDTL

R5207ANDTL


datasheet?p=R5207AND&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R5207ANDTL

Description: MOSFET N-CH 525V 7A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R5207ANDTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R5207ANDTL R5207ANDTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R5207AND&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 525V 7A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
R5207ANDTL R5207ANDTL Виробник : ROHM Semiconductor rohm_s_a0002830647_1-2281822.pdf MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
товар відсутній