R6012JNJGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 160W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 94.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6012JNJGTL ROHM
Description: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6012JNJGTL за ціною від 105.62 грн до 239.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6012JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6012JNJGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6012JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6012JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6012JNJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET; R6012JNJ is a power MOSFET for switching applications. |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6012JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
R6012JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |