R6015ANJTL

R6015ANJTL Rohm Semiconductor


46623638104757376r6015anj.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+295.92 грн
42+ 283.21 грн
50+ 272.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6015ANJTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6015ANJTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R6015ANJTL R6015ANJTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ANJTL R6015ANJTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6015ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN
товар відсутній