R6511KNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 227.06 грн |
| 10+ | 183.78 грн |
| 100+ | 148.69 грн |
| 500+ | 124.03 грн |
| 1000+ | 106.2 грн |
| 2000+ | 100 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6511KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6511KNXC7G за ціною від 168.72 грн до 266.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6511KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 650V POWER MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|