R6520ENZC17 ROHM Semiconductor
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 427.78 грн |
10+ | 354.45 грн |
25+ | 298.92 грн |
100+ | 249.1 грн |
300+ | 241.13 грн |
600+ | 221.2 грн |
1200+ | 178.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6520ENZC17 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6520ENZC17 за ціною від 314.37 грн до 443.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6520ENZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|