R6547KNZ4C13 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1053.66 грн |
| 5+ | 964.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6547KNZ4C13 ROHM
Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Інші пропозиції R6547KNZ4C13 за ціною від 577.9 грн до 1064.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6547KNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications. |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6547KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 480W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| R6547KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 480W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |