Продукція > ROHM > R8006KNXC7G
R8006KNXC7G

R8006KNXC7G ROHM

3171074.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+233.98 грн
10+ 210.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8006KNXC7G ROHM

Description: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 6, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 52, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, Verlustleistung: 52, Bauform - Transistor: TO-220FM, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: R8xxxKNx, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції R8006KNXC7G за ціною від 100.3 грн до 243.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240 грн
10+ 207.51 грн
100+ 170.01 грн
500+ 135.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET High-speed Switching Nch 800V 6A Power MOSFET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.34 грн
10+ 215.42 грн
100+ 152.78 грн
500+ 130.19 грн
1000+ 104.29 грн
5000+ 100.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товар відсутній