R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 190.99 грн |
| 69+ | 170.21 грн |
| 100+ | 163.28 грн |
| 500+ | 146.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 195, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R8008ANJFRGTL за ціною від 166.06 грн до 442.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8008ANJFRGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Gate charge: 38nC Polarisation: unipolar Drain current: 8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK On-state resistance: 1.54Ω Mounting: SMD кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
R8008ANJFRGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| R8008ANJFRGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 195W Gate charge: 38nC Polarisation: unipolar Drain current: 8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK On-state resistance: 1.54Ω Mounting: SMD |
товар відсутній |