на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.37 грн |
| 10+ | 90.9 грн |
| 100+ | 61.78 грн |
| 500+ | 52.41 грн |
| 1000+ | 42.71 грн |
| 2500+ | 40.19 грн |
| 5000+ | 38.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCX160N20 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RCX160N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RCX160N20 |
 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| RCX160N20 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 43W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 43W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 410mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
RCX160N20 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| RCX160N20 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 43W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 43W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 410mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |