RCX200N20 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.47 грн |
| 10+ | 81.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCX200N20 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RCX200N20 за ціною від 37.93 грн до 113.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RCX200N20 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RCX200N20 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 80A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RCX200N20 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 80A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |