RD3G01BATTL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 62.97 грн |
| 500+ | 48.37 грн |
| 1000+ | 32.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3G01BATTL1 ROHM
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 15, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RD3G01BATTL1 за ціною від 27.9 грн до 90.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -40V -15A Power MOSFET |
на замовлення 33436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 15 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 25 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 4505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -15A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -15A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |