Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3H080SPTL1
RD3H080SPTL1

RD3H080SPTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3H080SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.2 грн
10+ 63.59 грн
100+ 49.47 грн
500+ 39.35 грн
1000+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3H080SPTL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RD3H080SPTL1 за ціною від 33.68 грн до 91.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3H080SPTL1 RD3H080SPTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H080SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK)
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.45 грн
10+ 81.74 грн
100+ 55.07 грн
500+ 45.5 грн
1000+ 35.94 грн
2500+ 34.54 грн
5000+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3H080SPTL1 RD3H080SPTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H080SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній