RD3L03BATTL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.11 грн |
| 5000+ | 35.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L03BATTL1 Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V.
Інші пропозиції RD3L03BATTL1 за ціною від 30.86 грн до 103.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3L03BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L03BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L03BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V |
на замовлення 12958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L03BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -60V -35A Power MOSFET |
на замовлення 30602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RD3L03BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -35A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RD3L03BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -35A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |