Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L03BBGTL1
RD3L03BBGTL1

RD3L03BBGTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3L03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.03 грн
10+ 81.72 грн
100+ 65.06 грн
500+ 51.66 грн
1000+ 43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L03BBGTL1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RD3L03BBGTL1 за ціною від 42.91 грн до 117.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3L03BBGTL1 RD3L03BBGTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RD3L03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.02 грн
10+ 103.13 грн
100+ 72.4 грн
500+ 59.32 грн
1000+ 51.35 грн
2500+ 43.58 грн
10000+ 42.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L03BBGTL1 RD3L03BBGTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товар відсутній