Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L07BBGTL1
RD3L07BBGTL1

RD3L07BBGTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.25 грн
10+ 182.53 грн
100+ 146.7 грн
500+ 113.12 грн
1000+ 93.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L07BBGTL1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 102W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RD3L07BBGTL1 за ціною від 78.38 грн до 213.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3L07BBGTL1 RD3L07BBGTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RD3L07BBG is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.89 грн
10+ 189.45 грн
100+ 132.19 грн
500+ 109.6 грн
1000+ 94.32 грн
2500+ 79.71 грн
10000+ 78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L07BBGTL1 RD3L07BBGTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
товар відсутній