RD3L080SNFRATL Rohm Semiconductor
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
269+ | 43.44 грн |
292+ | 39.88 грн |
301+ | 38.69 грн |
500+ | 35.88 грн |
1000+ | 31.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L080SNFRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RD3L080SNFRATL за ціною від 30.21 грн до 103.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RD3L080SNFRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 15W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V |
на замовлення 4848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252 |
на замовлення 8716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |