RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 51.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Інші пропозиції RD3L150SNFRATL за ціною від 39.39 грн до 122.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3L150SNFRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L150SNFRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L150SNFRATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252 |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L150SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RD3L150SNFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RD3L150SNFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |