Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RDD050N20TL
RDD050N20TL

RDD050N20TL Rohm Semiconductor

RDD050N20.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 292 pF @ 10 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.06 грн
10+ 85.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RDD050N20TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 292 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RDD050N20TL за ціною від 44.11 грн до 115.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RDD050N20TL RDD050N20TL Виробник : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms10729-1-1742356.pdf MOSFET Nch; 20W; 200V; 5A
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.47 грн
10+ 94.72 грн
100+ 65.5 грн
250+ 60.45 грн
500+ 54.93 грн
1000+ 47.1 грн
2500+ 44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
RDD050N20TL RDD050N20TL Виробник : Rohm Semiconductor RDD050N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 292 pF @ 10 V
товар відсутній