на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.87 грн |
| 12+ | 26.13 грн |
| 100+ | 20.53 грн |
| 500+ | 19 грн |
| 1000+ | 9.9 грн |
| 1500+ | 9.1 грн |
| 9000+ | 7.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF103L2STE25 ROHM Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: PMDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RF103L2STE25
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RF103L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|
|
|
RF103L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |